NUCLEO-F446RE
整塊綠色板子。上面有主 MCU、板載 ST-LINK、USB、穩壓與排針。
主 MCU：STM32F446REFIELD NOTES · UPDATED 2026.09.19
不要相信寫入值。
相信讀回來的證據。
先看懂一顆 MCU 裡的 CPU、暫存器、SRAM 與 Flash，再沿著三條 SWD 線追到真實位元。這門課不把彎路擦掉：你會看到錯誤假設如何誤導判斷，也會親手用量測把它推翻。
CH1 / SWCLKCH2 / SWDIOARMED
MASTERF446RE
TARGETL476VG
LINKSWD · 3 WIRES
STANDARD TOOLpyOCD PASS · RELIABILITY OPEN
00 / KNOWLEDGE LINE
十二課知識線：先聽懂故事，再讀證據。
這條線給完全的新手：不必先懂 ARM，也不必先會 C。每一課都是一組「生活比喻 → 工程真話」，後面接一題只能靠判讀證據回答的小測。A 層（概念）與 B 層（讀證據）不需要板子；C 層實板流程在 COURSE.md 第 12 課。
KL RULE
比喻只負責把門打開，走進去的是工程真話。任何一課如果只記得比喻，那一課就還沒學完。
00 / MCU WITHOUT THE FOG
先看森林：一顆 MCU 裡，到底住了什麼？
MCU（微控制器）是一顆把 CPU、記憶體和周邊控制器放在一起的晶片；開發板則是在 MCU 外面再加電源、USB、除錯器、按鍵與接頭。點下面的區塊，先建立一張之後所有實驗都能重用的地圖。
STM32L476G-DISCO
整塊探索板。板載 ST-LINK 是另一顆 MCU，不要把它和被測的 target 混在一起。
主 MCU：STM32L476VGNANO130KE3BN
客製板與 NuTiny 上的 Cortex-M0 MCU；同一顆晶片可當 probe，也可當 target。
板子 ≠ 晶片型號ADDRESSDATACONTROL
核心正在想什麼
PC = 下一條指令位址
SP = stack 頂端
R0 = 函式第一個參數它們在 CPU 核心裡，是運算現場。halt 後讀 PC，等於看 CPU 停在哪一句。
≠
硬體旋鈕映射成位址
GPIOA_BSRR = 設定腳位
FMC_ISPTRG = 啟動 Flash 操作
DHCSR = 除錯控制／狀態它們看起來像記憶體，實際上每個 bit 都接到硬體電路；寫錯順序可能被靜靜忽略。
1RESET→2從 Flash[0] 取初始 SP→3從 Flash[4] 取 Reset Handler→4CPU 反覆 fetch / decode / execute
01 / EVIDENCE FIRST
先看結論，也先看證據等級。
同一句「板子通了」，可能只是編譯通過，也可能是標準工具真的控制到另一顆 CPU。把證據強度攤開，才知道自己站在哪一層。
板對板 SWD 已通
讀回 L476 專屬的裝置識別、flash 容量與初始 SP；不是只看到兩顆 M4 都相同的 CPUID。
CPU 控制已通
halt、step、register dump、run 均由讀回的 DHCSR 與 PC 分布驗證。
CMSIS-DAP 已通
pyOCD 能列出 probe，並透過它讀 target、halt 與 resume。
CN3 腳位定案
手冊提供拓撲，四支腳的指紋電壓一次完成實體標定。
約 1 V 是浮接
量到的是電壓；「高阻抗與漏電造成分壓」是能解釋觀察的推論。
pyOCD 寫 flash 流程已通
erase、program 與指定位置讀回曾成功；但 4 KB 壓力測試揭露偶發 bit slip，因此不能外推成「寫入已可靠」。
02 / UNKNOWN PINS
四支腳，一次量完它們的「指紋」。
情境：CN3 的兩個跳線帽已拔、訊號線全拔、DISCO 通電。先猜哪兩支是 MCU 側，再逐支點擊量測。
STM32L476G-DISCO CN3 / JUMPERS OFF
V DC—.— V點一支腳開始量測
03 / READ IT BACK
同一行 C，看起來合理，硬體卻安靜地忽略。
選一種 step 寫法，觀察真正讀回的 bit 3 與 halt 落點。規則：改變 C_MASKINTS 時，那次寫入必須同時維持 C_HALT=1。
DHCSR READBACK
0x0103000704 / SILENT FAILURES
六個不報錯的 bug，該先量哪裡？
選擇你眼前的症狀。故障台不直接告訴你「是哪個 bug」，而是先給能最大幅縮小嫌疑範圍的下一筆觀察。
DIAGNOSTIC ROUTERREAD ONLY
SELECT A SYMPTOM > waiting for observation_
05 / KEEP THE WRONG TURNS
錯誤推導不是雜訊，是下一次的護欄。
「接對時 SWDIO 應該是 3.3 V」
錯。傳輸失敗後 master 把 SWDIO 維持輸出低；線有通時反而會接近 0 V。用這個錯誤規則會把好線判成壞線。
「手邊是兩片 F446RE」
錯。實物是 F446RE master 加 L476G-DISCO target。正因為兩顆 M4 的 DPIDR／CPUID 相同，才需要讀 ST 的 DBGMCU_IDCODE。
「CN4 看起來像 SWD，就接 CN4」
方向相反。CN4 是板載 ST-LINK 對外輸出；我們要的是 CN3 跳線拔除後的 MCU 側。
「自製測試全過，就符合標準」
錯。dap.ps1 在主機端補了 RDBUFF，剛好掩蓋韌體未處理 posted AP read。真正驗收要交給獨立實作 pyOCD。
「blink 燒進去會閃，所以寫入可靠」
錯。936 byte 可能剛好沒撞到每 4 KB 約 1–2 次的 bit slip。成功案例證明能力存在，不等於錯誤率為零。
「修正有效，所以我的解釋也對」
錯。NANO130 改用 GPIO 位元存取後損毀率下降約三倍；分析儀卻證明每筆仍有完整 54 個 clock，推翻「RMW 吃掉時脈」的解釋。
06 / MEASUREMENT BEATS STORY
兩天、八個假設；真正突破都來自多看見一個量。
下面三張卡分屬不同層。把它們混在一起，就會用 Flash 控制器的現象解釋 SWD 線上的 bit slip；先標出層級，推理才不會越界。
原先故事少了一個 clock，所以資料右移
→ 被量測推翻 →分析儀看見每筆都是 54 clocks；框架正確，資料內容仍位移
修正有效 ≠ 理由正確。先把「觀察」和「解釋」寫在不同欄位。
06 / CHECKPOINT